【摘 要】
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The exchange bias effect in a ferromagnetic/antiferromagnetic(FM/AF)bilayer has been extensively studied in past decades for both fundamental reasons and important applications.The uncompensated layer
【机 构】
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Institute of Physics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China
【出 处】
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2015年首届研究堆应用技术学术交流会
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The exchange bias effect in a ferromagnetic/antiferromagnetic(FM/AF)bilayer has been extensively studied in past decades for both fundamental reasons and important applications.The uncompensated layer at the interface of FM/AF bilayer is believed to be a key role in an exchange biased film.Recently,we have demonstrated a new exchange bias structure,NiFe/FeMn/pinned-NiFe [1],where a room temperature in-plane 90o interlayer coupling has been observed with a 2-nm-thick FeMn spacer layer.
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