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会议论文
优质多晶硅簿膜的制备
优质多晶硅簿膜的制备
来源 :第三届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ivwyniqtd
【摘 要】
:
用PCVD工艺及后处理技术可制备质量优良、晶粒大的多晶硅薄膜。磷掺杂的n型多晶硅薄膜,电导率高达0.7(Ω·cm),平均晶粒尺寸大于300nm,晶粒尺寸强烈依赖于掺杂比和膜的原始材料。
【作 者】
:
林璇英
余楚迎
姚若河
吴萍
李美亚
林揆训
石旺舟
【机 构】
:
大学物理系
【出 处】
:
第三届中国功能材料及其应用学术会议
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
多晶硅薄膜
平均晶粒尺寸
后处理技术
制备质量
原始材料
磷掺杂
电导率
掺杂比
工艺
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用PCVD工艺及后处理技术可制备质量优良、晶粒大的多晶硅薄膜。磷掺杂的n型多晶硅薄膜,电导率高达0.7(Ω·cm)<-1>,平均晶粒尺寸大于300nm,晶粒尺寸强烈依赖于掺杂比和膜的原始材料。
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