【摘 要】
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多铁性BiFeO3薄膜吸引了人们广泛的关注,并且有望应用于磁电器件、自旋电子器件和微波器件等领域。近年来,有多个研究小组报道了在FM/BiFeO3(FM=Co,Fe,Ni,NiF,CoFe,CoFeB
【机 构】
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电子薄膜与集成器件国家重点实验室,电子科技大学,四川,成都,610054
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多铁性BiFeO3薄膜吸引了人们广泛的关注,并且有望应用于磁电器件、自旋电子器件和微波器件等领域。近年来,有多个研究小组报道了在FM/BiFeO3(FM=Co,Fe,Ni,NiF,CoFe,CoFeB)异质结中观察到交换偏置现象[1-4]。本文首先用离轴射频磁控溅射法在(001),(110)和(111)SrTiO3和Nb掺杂SrTiO3单晶基片上成功生长了400nm厚的高质量的外延BiFeO3薄膜。接着,不同厚度的CoFe铁磁层又沉积在BiFeO3薄膜上形成异质结。磁化曲线测试表明：在(001)和(110)-BiFeO3薄膜上都可以观察到矫顽力的增加(即交换增强效应)和磁滞回线的偏移(即交换偏置效应)。但没有在CoFe/(111)BiFeO3异质结中观察到交换偏置现象。各向异性磁电阻测量支持这一结果。因此,我们认为无论是109度铁电畴、71度铁电畴或者螺旋自旋结构的破缺都可以导致交换偏置效应,而在(110)-BiFeO3薄膜中发现大于70Oe的交换偏置场十分重要,这意味着一方面我们可以通过面外电场操控交换偏置,降低了器件设计的难度；另一方面,可以通过施加不同电场强度来控制电畴翻转后的极化取向,从而有望实现可逆的交换偏置场调控。
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