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本文通过对半导体THz 发射极在有和没有外加电场和磁场作用下发射光谱的测量，说明了外加电场和磁场对THz 电磁辐射的产生具有增强作用。我们采用反射式发射极在飞秒激光作用下辐射THz 脉冲的装置，同时利用电光取样方法探测THz 电场，得到了这些发射极的时域发射光谱，并通过快速傅立叶变换(FFT)得到了相应的频域光谱。在弱场情况下，借助于经典电磁理论对外加电场和磁场对THz 辐射的影响给予了理论解释。