【摘 要】
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本文研究了单晶硅氧化动力学,证实其控速环节可分为三段,即:前期为界面化学反应控速;中期为界面化学反应与扩散混合控速;后期为扩散控速.显微结构分析表明;经表面活化处理的单晶硅,其氧化膜结构致密;氧化初期,其形貌呈雪花状,并可见形核中心,界面区内发现大量层错,随后减少,出现位错.氧化膜微观结构分析和分形维数分析结果,进一步证实了单晶硅的氧化动力学三段控速机理.
【机 构】
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北京科技大学(北京) 中国科学院过程工程研究所(北京)
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本文研究了单晶硅氧化动力学,证实其控速环节可分为三段,即:前期为界面化学反应控速;中期为界面化学反应与扩散混合控速;后期为扩散控速.显微结构分析表明;经表面活化处理的单晶硅,其氧化膜结构致密;氧化初期,其形貌呈雪花状,并可见形核中心,界面区内发现大量层错,随后减少,出现位错.氧化膜微观结构分析和分形维数分析结果,进一步证实了单晶硅的氧化动力学三段控速机理.
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