【摘 要】
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对添加面(Be上PVD镀层)/Cu(CuCrZr上PVD镀层)中间层的Be与CuCrZr进行了热等静压扩散连接。 为获得较好的连接效果，试验采用酸洗、研磨等方法对Be样品表面镀Ti前进行了不同
【机 构】
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中国工程物理研究院,四川 绵阳 621900
【出 处】
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中国核学会核材料分会2007年度学术交流会
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对添加面(Be上PVD镀层)/Cu(CuCrZr上PVD镀层)中间层的Be与CuCrZr进行了热等静压扩散连接。
为获得较好的连接效果，试验采用酸洗、研磨等方法对Be样品表面镀Ti前进行了不同的表面处理。HIP后采用SEM、EDS、XRD、剪切测试等手段确定了界面的性能与组织。试验结果表明：Be表面镀层前采用酸液蚀刻可有效去除表面氧化膜，在580℃/145MPa/2h工艺条件下较获得的剪切强度达到123MPa，且界面无裂纹等缺陷。扩散保温时间从2h延长至4h后，接头性能有一定下降。Ti镀层(～10μm)在Be与Cu之间发挥了较好的扩散壁垒作用，有效防止了Be与Cu的直接扩散反应。界面上有CuTi脆性相生成，是接头发生断裂的原因。
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