【摘 要】
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本文通过分析具有局域空槽结构的SOI LDMOS在反偏时电荷和电场分布,指出束缚在空穴槽底部Si/SiO界面的反型层空穴是提高器件耐压的主要原因,据此提出界面电荷耐压模型,分析该结构的SOI LDMOS的击穿机理,并将解析结果与MEDICI的模拟结果进行比较,表明该模型能较好的解释该结构的击穿机理.
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会
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本文通过分析具有局域空槽结构的SOI LDMOS在反偏时电荷和电场分布,指出束缚在空穴槽底部Si/SiO<,2>界面的反型层空穴是提高器件耐压的主要原因,据此提出界面电荷耐压模型,分析该结构的SOI LDMOS的击穿机理,并将解析结果与MEDICI的模拟结果进行比较,表明该模型能较好的解释该结构的击穿机理.
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