【摘 要】
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通过关验定了一种与GeSi合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层GeSi/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表明：采用这种电解液，利用电化学
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室
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通过关验定了一种与Ge<,x>Si<,1-x>合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表明：采用这种电解液，利用电化学C-V载流子浓度纵向分布测量仪检测Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质材料的载流子浓度纵向分布，重复性好、可靠性高。
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