【摘 要】
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自旋电子学起源于上个世纪80 年代在固态器件中观察到的自旋相关输运行为。从Albert Fert和Peter Grünberg 两位科学家相互独立的在金属磁性多层膜中发现巨磁电阻(GMR)效应开始,GMR以及后来发现的隧穿磁电阻(TMR)效应引起了人们的普遍关注。室温下表现出GMR 的自旋阀和表现出TMR 的磁性隧道结也先后被广泛应用在计算机硬盘的读出磁头中,带来硬盘存储密度的飞速提高。因此,Al
【机 构】
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北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083
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自旋电子学起源于上个世纪80 年代在固态器件中观察到的自旋相关输运行为。从Albert Fert和Peter Grünberg 两位科学家相互独立的在金属磁性多层膜中发现巨磁电阻(GMR)效应开始,GMR以及后来发现的隧穿磁电阻(TMR)效应引起了人们的普遍关注。室温下表现出GMR 的自旋阀和表现出TMR 的磁性隧道结也先后被广泛应用在计算机硬盘的读出磁头中,带来硬盘存储密度的飞速提高。因此,Albert Fert 和Peter Grünberg 一起获得2007 年的诺贝尔物理学奖。
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