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Critical behavior of the quasi-two-dimensional semiconducting ferromagnet CrSiTe3
【机 构】
:
High Magnetic Field Laboratory,Chinese Academy of Sciences,Hefei,Anhui 230031,China;University of Sc
【出 处】
:
中国物理学会2016年秋季会议
【发表日期】
:
2016年5期
其他文献
For more than a decade,researchers have been searching for means to improve the Curie temperature offerromagnetic GaMnAs samples,among which post-growth annealing in furnce has been treated as the mos
Electric field control of deterministic current-induced magnetization switching in a hybrid ferromag
All-electrical and programmable manipulations of ferromagnetic bits are highly pursued for the aim of high integration and low energy consumption in modern information technology.Methods based on the
自旋轨道耦合与自旋霍尔效应,自旋动力阻尼,拓扑绝缘体,斯格明子等新效应都有很强的联系,成为了研究热点.Fe3O4是一种半金属材料,因为其具有高的居里温度和费米面附近的高自旋极化率,吸引了众多的研究兴趣.在磁电子器件,尤其在自旋注入半导体器件上,Fe3O4/GaAs被看作是一种很有潜质的自旋电子学复合材料.
当测试样品中有微波电场时,在自旋泵浦效应产生的电压中,不可避免地混合着由于逆自旋霍尔效应(ISHE)和自旋整流效应(SRE)产生的电压。以前的这两种效应的区分方法多依赖于线性近似和曲线拟合。我们发展了一种在测试信号中将ISHE电压和SRE电压分离开的方法。该方法基于上面两种效应对自旋注入方向的依赖性不一样:ISHE电压是自旋注入方向的奇函数,而SRE电压则与自旋注入的方向无关。
There has been considerable interest in exploiting the spin degrees of freedom of electrons for potentialinformation storage and computing technologies.Topological insulators(TI),a class of quantum ma
We report a pronounced magnetocapacitance effect in a p-n junction device on the basis of a large magnetoresistence effect[1].By applying a pulsed voltage bias and measuring time dependence of voltage
本文以朗道-栗弗席兹-吉尔伯特(LLG)方程1为基础,在考虑交换作用,各向异性,外加磁场,Dzyaloshinskii-Moriya(DM)相互作用2以及由自旋极化电流引起的绝热自旋矩等诸多因素的条件下,采用复球极变换方法将朗道-栗弗席兹-吉尔伯特方程这一关于磁化强度矢量的偏微分方程转换为一个关于单一标量的非线性薛定谔方程,再通过广田算法进行处理,从而得到此非线性薛定谔方程孤子形式的精确解。
在现代通讯技术中,具有各向同性的高磁导率材料是众多磁性器件中不可或缺的组成部分。人们希望这些磁性材料同时具有高的共振频率(GHz),以满足信息快速传输的要求。从LLG方程出发,我们在理论上证明了,满足一定设计条件的铁磁/非铁磁/铁磁三层膜可以实现面内各向同性的高磁导率。
通过第一性原理计算,研究了Mn2Co1-xCrxAl(x=0.25,0.5,0.75)的电子结构和磁性,发现Mn2CoAl对占位的要求极高,少量掺杂就会破坏其原有的电子结构,失去零能隙磁性半导体的特性.当掺杂少量的Cr时,Mn2Co0.75Cr0.25Al和Mn2Co0.25Cr0.75Al在按照占位规则有序占位时表现出半金属性,半金属能隙分别为0.07eV和0.08eV;而Mn2Co0.5Cr0
绝缘包覆是软磁粉芯的核心制备工艺。目前,产业上常用的是磷酸钝化工艺,该工艺以磷酸为主要绝缘剂,在磁粉表面通过钝化形成一层致密的磷酸盐绝缘层,但该工艺并不适用于抗腐蚀性较好的铁镍合金磁粉。本文探索了铁镍粉芯的新制备工艺。首先,采用KH550对铁镍磁粉表面进行改性,然后枝接有机树脂形成大分子网状结构,再将纳米氧化物填充于大分子网状结构的间隙以形成绝缘层。