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研究了硫化银(Ag2S)块体材料中的忆阻现象.循环伏安法测试结果表明所制备的样品具有稳定的Ⅰ-Ⅴ回线,高低阻态的电阻比将近100.提出了基于界面氧化还原反应的忆阻机制.
硫化银体材料忆阻性能研究
【摘 要】
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研究了硫化银(Ag2S)块体材料中的忆阻现象.循环伏安法测试结果表明所制备的样品具有稳定的Ⅰ-Ⅴ回线,高低阻态的电阻比将近100.提出了基于界面氧化还原反应的忆阻机制.
【机 构】
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清华大学 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室 100084
【出 处】
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中国电子学会第十七届电子元件学术年会
【发表日期】
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2014年期
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