【摘 要】
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高频化高功率密度是电力电子发展的趋势,这在中小功率逆变器应用中已经得以实现.对于大功率逆变器,高频化仍然受限于功率模块封装技术和器件技术,在100Kw以上逆变器应用中,功
【机 构】
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Vincotech 中国,上海,200120
【出 处】
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中国电工技术学会电力电子学会第十四届学术年会
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高频化高功率密度是电力电子发展的趋势,这在中小功率逆变器应用中已经得以实现.对于大功率逆变器,高频化仍然受限于功率模块封装技术和器件技术,在100Kw以上逆变器应用中,功率器件普遍使用的开关频率仍然＜6Khz.本文通过介绍一种新颖的不对称寄生电感封装技术,使得大功率逆变器开关频率可以提高到20Khz;再通过对三电平拓扑结构的优化,提出了一种IGBT并联MOSFET技术,使得开关频率可以进一步提高到50Khz,从而真正突破大功率逆变器高频化应用的瓶颈.
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