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本文采用控电位电沉积的方法制备了Bi-Sb-Te-Se薄膜温差电材料。通过XRD、ESEH、EDS等方法对电沉积薄膜材料的结构、形貌和组成进行了分析,并测试了在不同电位下制备的Bi-Sb-Te-Se薄膜的塞贝克系数及电阻率。结果表明,在含有BiⅢ、TeⅣ、SbⅢ和SeⅣ的溶液中,采用控电位沉积模式,可以实现铋、锑、碲、硒四元共沉积,制备出Bi-Sb-Te-Se薄膜温差电材料。沉积电位对电沉积薄膜中各元素的含量有显著影响。组成为Bo0.73Sb1.62Te2.88Se0.19的电沉积薄膜的性能最佳,在氮气环境下经250℃、2h退火处理后的塞贝克系数为128μv/K,功率因子为0.48 mW·K-2·m-1。