【摘 要】
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采用射频磁控溅射技术在玻璃上制备InxSy缓冲层,溅射功率范围从30W到100W.通过能量色散X射线光谱仪(EDX)、扫描电子显微镜SEM和紫外分光光度计检测在不同溅射功率条件下制备的InxSy薄膜表面形貌、元素组成和光学特性.结果表明随着功率的增加,InxSy薄膜晶粒尺寸增加,硫元素含量比率增加,,光学禁带宽度先增加后减小.溅射功率为80W时禁带宽度最大为2.75eV,适合高效率InxSy/CI
【机 构】
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浙江大学信息与电子工程学系,浙江杭州310027
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采用射频磁控溅射技术在玻璃上制备InxSy缓冲层,溅射功率范围从30W到100W.通过能量色散X射线光谱仪(EDX)、扫描电子显微镜SEM和紫外分光光度计检测在不同溅射功率条件下制备的InxSy薄膜表面形貌、元素组成和光学特性.结果表明随着功率的增加,InxSy薄膜晶粒尺寸增加,硫元素含量比率增加,,光学禁带宽度先增加后减小.溅射功率为80W时禁带宽度最大为2.75eV,适合高效率InxSy/CIGS太阳能电池.
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