【摘 要】
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以钼网作为掩膜，以镀Ni的硅片为基底，通过AlCl3和NH3的反应，在700℃时实现AlN纳米锥的图案化生长。图案化生长使AlN纳米锥的屏蔽效应降低，场发射性质有明显改善。与未图案化的样品相比，图案化AlN纳米锥的开启电压和阈值电压显著降低，场发射电流密度显著提高。这种图案化生长技术有望拓展到其它纳米冷阴极材料体系，优化其场发射性能。
【机 构】
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南京大学化学化工学院，介观化学教育部重点实验室
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以钼网作为掩膜，以镀Ni的硅片为基底，通过AlCl3和NH3的反应，在700℃时实现AlN纳米锥的图案化生长。图案化生长使AlN纳米锥的屏蔽效应降低，场发射性质有明显改善。与未图案化的样品相比，图案化AlN纳米锥的开启电压和阈值电压显著降低，场发射电流密度显著提高。这种图案化生长技术有望拓展到其它纳米冷阴极材料体系，优化其场发射性能。
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