【摘 要】
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以钼网作为掩膜,以镀Ni的硅片为基底,通过AlCl3和NH3的反应,在700℃时实现AlN纳米锥的图案化生长。图案化生长使AlN纳米锥的屏蔽效应降低,场发射性质有明显改善。与未图案化的样品相比,图案化AlN纳米锥的开启电压和阈值电压显著降低,场发射电流密度显著提高。这种图案化生长技术有望拓展到其它纳米冷阴极材料体系,优化其场发射性能。
【机 构】
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南京大学化学化工学院,介观化学教育部重点实验室
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以钼网作为掩膜,以镀Ni的硅片为基底,通过AlCl3和NH3的反应,在700℃时实现AlN纳米锥的图案化生长。图案化生长使AlN纳米锥的屏蔽效应降低,场发射性质有明显改善。与未图案化的样品相比,图案化AlN纳米锥的开启电压和阈值电压显著降低,场发射电流密度显著提高。这种图案化生长技术有望拓展到其它纳米冷阴极材料体系,优化其场发射性能。
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