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该文运用能量表象方法计算了lnGaAs／lnGaAsP应变补偿量于阱的能带结构和状态密度，分析了应变补偿效应对其能带结构和状态密度的影响，并讨论了有关参量的选择。
lnGaAs／lnGaAsP应变补偿量子阱的价带结构及状态密度
【摘 要】
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该文运用能量表象方法计算了lnGaAs／lnGaAsP应变补偿量于阱的能带结构和状态密度，分析了应变补偿效应对其能带结构和状态密度的影响，并讨论了有关参量的选择。
【机 构】
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大学电子工程系,集成光电子学国家重点联合实验室(长春)
【出 处】
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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1998年期
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