Wafer-Level light emitting diode (WL-LED): An innovative approach for cost-effective very high power

来源 :第十一届中国国际半导体照明论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zw840909
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  A very high power wafer level light emitting diode (WL-LED) has been successfully fabricated on 2 inches InGaN/GaN epi-wafer based on high voltage design.The maximum light output power (LOP) was measured to be 157W with an external quantum efficiency (EQE) of 24%.
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