【摘 要】
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氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)可应用于比传统半导体器件更大功率、更高频率和更高温度的场合,因此,GaN基HEMT器件被认为是下一代通信系统和功率转换电路应用的绝佳
【机 构】
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工业和信息化部电子第五研究所,广州,510610
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)可应用于比传统半导体器件更大功率、更高频率和更高温度的场合,因此,GaN基HEMT器件被认为是下一代通信系统和功率转换电路应用的绝佳候选,具有非常广阔的应用前景.然而,GaN基HEMT器件存在多项性能退化的可靠性问题.器件性能退化与多个因素有关,其中与温度有关的可靠性问题尤其关键,器件工作时的自热效应将导致显著的器件性能退化.近年来,基于正向结压的瞬态热阻测试技术和结构函数分析技术为研究半导体热学性能提供了一种新方法.这种方法带来的好处是可以对器件封装结构各层进行热分析.基于这样的思路,对某商用AlGaN/GaN HEMT器件进行高温开态(HTO)应力试验,对试验后器件性能退化、结温升高的原因进行了分析.
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