【摘 要】
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本报告主要介绍我们在石墨烯研究方面的进展[1-10].主要包括：1)介电层上直接生长单晶石墨烯.在前期工作中,我们发明了氧辅助法[11],在二氧化硅绝缘材料上直接制备了石墨烯
【机 构】
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中国科学院化学研究所,北京 100190
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本报告主要介绍我们在石墨烯研究方面的进展[1-10].主要包括：1)介电层上直接生长单晶石墨烯.在前期工作中,我们发明了氧辅助法[11],在二氧化硅绝缘材料上直接制备了石墨烯薄膜.随后我们又发现通过两段化学气相沉积方法,控制石墨烯的成核点和晶区尺寸,实现了在氮化硅表面上的直接生长[12].但上述两种方法制备的石墨烯薄膜均为多晶结构.本工作中我们开发了小气流、长时间、在接近平衡态条件下的沉积方法,在多种绝缘基底上实现了微米尺度石墨烯单晶的非金属催化生长和可控制备[1].2)具有大畴晶尺寸的六方氮化硼（h-BN)单层薄膜的制备.我们采用CVD的方法制备得到了20μm大小的单片三角形单晶h-BN,进一步生长得到连续的薄膜[2].
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