【摘 要】
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以乙醇和氢气为气源，利用微波等离子体化学气相沉积(CVD)法，在微波功率为700W，反应室气压为7KPa，基片温度为600℃时，在Si基片上制备了形态与质量较好的金刚石薄膜。生长的金刚石薄
【机 构】
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西安交通大学理学院,710049,西安
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以乙醇和氢气为气源，利用微波等离子体化学气相沉积(CVD)法，在微波功率为700W，反应室气压为7KPa，基片温度为600℃时，在Si基片上制备了形态与质量较好的金刚石薄膜。生长的金刚石薄膜在SEM下呈现规则的四面体形多晶结构，金刚石晶粒尺寸约为1μm，用AFM进行观察晶粒呈现球簇状。在XRD图谱中，可以观察到金刚石特有的(111)面和(220)面所对应的衍射峰，光致发光谱中也获得了金刚石特有的发光峰。
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