【摘 要】
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以乙醇和氢气为气源,利用微波等离子体化学气相沉积(CVD)法,在微波功率为700W,反应室气压为7KPa,基片温度为600℃时,在Si基片上制备了形态与质量较好的金刚石薄膜。生长的金刚石薄
【机 构】
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西安交通大学理学院,710049,西安
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以乙醇和氢气为气源,利用微波等离子体化学气相沉积(CVD)法,在微波功率为700W,反应室气压为7KPa,基片温度为600℃时,在Si基片上制备了形态与质量较好的金刚石薄膜。生长的金刚石薄膜在SEM下呈现规则的四面体形多晶结构,金刚石晶粒尺寸约为1μm,用AFM进行观察晶粒呈现球簇状。在XRD图谱中,可以观察到金刚石特有的(111)面和(220)面所对应的衍射峰,光致发光谱中也获得了金刚石特有的发光峰。
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