【摘 要】
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基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。该模型指出,当场板长度L与绝缘层厚度t最优时,GaN HEMT栅极边缘电
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都 610054
【出 处】
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2007'信息与通信工程、电子科学与技术、计算机科学与技术、机械工程全国博士生学术论坛
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基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。该模型指出,当场板长度L<,FP>与绝缘层厚度t<,ox>最优时,GaN HEMT栅极边缘电场峰值可降低至未加场板时的22％;若保持峰值电场恒定,则其漏端电压可由没有场板时的50V提高到加场板后的225V,增幅高出4倍。
该解析模型所导出的电场分布与国外新近发表的源于器件方程和经验公式的模拟和实验结果基本吻合。该模型为CaN HEMT器件场板设计提供及时的理论依据。
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