多巴胺在L-胱氨酸修饰电极上的电化学行为研究

来源 :第十二届全国电分析化学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhaoct
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多巴胺(DA)是脑神经信息传递重要的物质基础,它在体内的含量不足可能会引起多种病症,包括帕金森综合症等,其体内监测对基础研究和临床医学均具有重大意义。因为多巴胺易于氧化,故可通过电化学方法测定其氧化峰电流,但在生物样品中大量的共存物质特别是抗坏血酸会对多巴胺的测定产生严重干扰,所以研究人员致力于通过研制各种化学修饰电极来提高测定的选择性。用循环伏安法将L-胱氨酸电聚合到玻碳电极表面,研究了多巴胺在L-胱氨酸修饰电极上的电化学特性,该修饰电极对多巴胺有良好的电化学响应.循环伏安实验表明,多巴胺与抗坏血酸氧化峰峰电位之差达200 mV,能有效地排除抗坏血酸的干扰.在pH 7.0的磷酸缓冲溶液中,用该修饰电极测定多巴胺,线性方程为I(A)=0.42 + 641.45×C(mmol/L),线性范围为4.0×10-7~2.0×10-4 mol/L,检出限为2.0×10-7 mol/L.
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