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采用熔融纺膜与先驱体转化法相结合制备出连续SiC自由薄膜，研究薄膜在1300，1400，1500℃温度下空气退火处理的氧化行为，以及退火温度对薄膜微观结构、光致发光特性(PL)、硬度和电阻率的影响。
结果表明，SiC薄膜在1300℃具有较佳的抗氧化和发光特性，随着退火温度的升高，薄膜的抗氧化和发光特性略有降低，薄膜中无定型SiOxCy减少，β-SiC晶粒长大及游离碳增多，薄膜表面硬度与电阻率下降，表面惰性致密氧化层的生成保护阻挡氧扩散，从而有效减缓薄膜进一步被氧化。