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碳化硅(SiC)由于高的热传导、 高温稳定性等优点，被认为是未来聚变反应堆结构材料的主要候选材料之一。但在聚变反应堆中，由于中子嬗变反应存在大量氦(He)在结构材料辐照缺陷处聚集，导致气泡形成、肿胀、脆化和硬化。利用第一性原理计算方法，本文主要研究了3C-SiC晶体中杂质氦原子与缺陷的相互作用。