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报道了三种不同吸电子能力的meso位修饰的内消旋A2B型Ir(Ⅲ)三芳基咔咯的以及三种具有不同吸电子能力的轴向修饰的A3型Ir(Ⅲ)三苯基吡咯的合成及其结构表征。通过将它们的光学光谱学和电化学与DFT和TD-DFT计算中预测的趋势进行比较,以及光学和氧化还原性质的结构性质关系的分析。