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本文详细讨论了量子级联激光器的器件制作过程,包括材料生长,金属电极的制作等,对工艺过程进行了探索.对于10×800μm<2>的激光器件,阈值电流密度是3kA/cm<2>,峰值输出功率是~7.2mW.
量子级联激光器的材料生长与器件制作
【摘 要】
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本文详细讨论了量子级联激光器的器件制作过程,包括材料生长,金属电极的制作等,对工艺过程进行了探索.对于10×800μm的激光器件,阈值电流密度是3kA/cm,峰值输出功率是~7.2mW
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料开放实验室(北京市)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2002年期
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