【摘 要】
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以直流等离子射流ＣＶＤ法研究了表面预处理工艺和沉积工艺对ＭＣ／Ｃｏ基体上金刚石膜形核行为的影响，结果表明：用金刚石微粉研磨过的基体表面形核密度比采用其他预处理工艺的基体表面形核密度高出２￣３个数量级，而采用相对较高的甲烷浓度（４℅￣６℅）和相对较低的基体表面温度（７００￣８００℃）对形核有利，其中在甲烷浓度６℅，基体温度７００℃的条件下得到了１０〈’８〉／ｃｍ〈’２〉的最高形核密度和平均１ｕｍ的晶
【机 构】
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有色金属研究院新材料室 理工大学(广州)
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以直流等离子射流ＣＶＤ法研究了表面预处理工艺和沉积工艺对ＭＣ／Ｃｏ基体上金刚石膜形核行为的影响，结果表明：用金刚石微粉研磨过的基体表面形核密度比采用其他预处理工艺的基体表面形核密度高出２￣３个数量级，而采用相对较高的甲烷浓度（４℅￣６℅）和相对较低的基体表面温度（７００￣８００℃）对形核有利，其中在甲烷浓度６℅，基体温度７００℃的条件下得到了１０〈’８〉／ｃｍ〈’２〉的最高形核密度和平均１ｕｍ的晶粒尺寸。
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