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本文介绍了薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的器件结构，并对设计的器件工艺和性能进行仿真分析，结果表明：对器件形貌进行SEM电镜分析可知，器件场氧部分形貌正常，场氧化减薄后剩余顶层硅部分均一性较好，保持在0.36 Nm附近，波动值极小。较好的薄膜均匀性保证了器件耐压的均一性。
薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的研制
【摘 要】
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本文介绍了薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的器件结构，并对设计的器件工艺和性能进行仿真分析，结果表明：对器件形貌进行SEM电镜分析可知，器件场氧部分形貌正常，场氧化减薄后
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室,上海200050
【出 处】
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2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
【发表日期】
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2011年期
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