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会议论文
单壁碳纳米管的场发射和逸出功的测量
单壁碳纳米管的场发射和逸出功的测量
来源 :第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chenxiaoyi1988
【摘 要】
:
作者利用FEM对单壁碳纳米管在热处理后场发射特性进行了测量,确定了清洁单壁碳纳米管的逸出功,观测了场发射图像的变化.利用四极质谱计进行了热处理过程中的残气分析.
【作 者】
:
刘惟敏
薛增泉
张兆祥
侯士敏
孙建平
张耿民
赵兴钰
施祖进
顾镇南
【机 构】
:
北京大学电子学系(北京)
【出 处】
:
第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议
【发表日期】
:
2001年期
【关键词】
:
单壁碳纳米管
场发射
热处理过程
图像的变化
四极质谱计
发射特性
残气分析
逸出功
清洁
观测
测量
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作者利用FEM对单壁碳纳米管在热处理后场发射特性进行了测量,确定了清洁单壁碳纳米管的逸出功,观测了场发射图像的变化.利用四极质谱计进行了热处理过程中的残气分析.
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