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作者利用FEM对单壁碳纳米管在热处理后场发射特性进行了测量,确定了清洁单壁碳纳米管的逸出功,观测了场发射图像的变化.利用四极质谱计进行了热处理过程中的残气分析.
单壁碳纳米管的场发射和逸出功的测量
【摘 要】
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作者利用FEM对单壁碳纳米管在热处理后场发射特性进行了测量,确定了清洁单壁碳纳米管的逸出功,观测了场发射图像的变化.利用四极质谱计进行了热处理过程中的残气分析.
【机 构】
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北京大学电子学系(北京)
【出 处】
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第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议
【发表日期】
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2001年期
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