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该文报导以Si[*v3*]N[*v4*]/SiO[*2*]为绝缘膜，用AgI-Ag[*v2*]S晶体为敏感膜的碘离子敏感半导体器件，并对其敏感机理进行分析。测试结果表明：该器件对碘离子的线性响应范围为1×10[*-6*]～1×10[*-1*]MKI，斜率为54MV/PI（26°C）。并具有良好的稳定性Ｖ现性，比一般中性载体器件使用寿命长。晶体膜碘离子敏感半导体器件（简称I-ISFET）是采用AgI-Ag[*v2*]S混晶作为敏感膜，它是离子敏感场效应晶体管大家族中的一员。该器件是将溶液中的离子活度转换成电信号的一种新型器件，由于它比一般的离子选择性电极有更多潜在的优点，如体积小、牢固、输出阻抗低和易集成化等，所以特别受到生物、医学界的极大关注，是一种很有发展前途的敏感器件。（本刊录）