论文部分内容阅读
近年来，迅速发展扩大的现代无线通信市场呼唤着一种新兴的技术和器件，来满足RF系统更微型化，低功耗，高Q值，工作在1GHz至10GHz的性能需求。FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)具备低功耗，低插损，小体积等众多优点，是目前唯一有望与CMOS工艺兼容和集成的射频滤波器技术。本文使用传输矩阵法推导了FBAR的输入阻抗，并就各层不同的材料尺寸对FBAR的性能影响进行探讨。结果表明，各层物理属性决定着整个FBAR的性能，是实际制备过程中工作频率调整的理论依据。