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近年来,迅速发展扩大的现代无线通信市场呼唤着一种新兴的技术和器件,来满足RF系统更微型化,低功耗,高Q值,工作在1GHz至10GHz的性能需求。FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)具备低功耗,低插损,小体积等众多优点,是目前唯一有望与CMOS工艺兼容和集成的射频滤波器技术。本文使用传输矩阵法推导了FBAR的输入阻抗,并就各层不同的材料尺寸对FBAR的性能影响进行探讨。结果表明,各层物理属性决定着整个FBAR的性能,是实际制备过程中工作频率调整的理论依据。