基于InGaAsP/InP材料的M-Z型高速光调制器的基本理论问题

来源 :全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xingchen1023
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该文分析了基于lnGaAsP/InP量子阱材料的Mach-Zehnder(M-Z)型光调制器的若干基本问题,对其中弯曲波导的有关结构参数进行了优化计算。并根据计算的结果设计了用于InGaAsP/InP多量子阱M-Z光调制器的弯曲波导结构。此外提出了分支结构的优化,M-Z光调制器的优化等基本问题。
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