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研究了反应烧结碳化硅(Si/SiC)材料在900℃时的氧化过程及添加Ni、Al元素对其氧化过程的影响，结果表明。Si/SiC材料的氧化过程遵循抛物线规律，并在Si/SiC材料氧化表面出现针状SiC<,2>消失，从而提高了其抗氧化能力。
Si/SiC材料900℃时的氧化
【摘 要】
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研究了反应烧结碳化硅(Si/SiC)材料在900℃时的氧化过程及添加Ni、Al元素对其氧化过程的影响，结果表明。Si/SiC材料的氧化过程遵循抛物线规律，并在Si/SiC材料氧化表面出现针状S
【机 构】
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西安理工大学
【出 处】
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第十一届全国高技术陶瓷学术年会
【发表日期】
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2000年期
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