【摘 要】
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碳化硅作为第三代半导体的典型代表,可为"新基建"需要的元器件提供核心材料。碳化硅外延发展至今从理论到技术已经取得很大的进展。首先是台阶流模型的提出,不仅实现低温生长
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碳化硅作为第三代半导体的典型代表,可为"新基建"需要的元器件提供核心材料。碳化硅外延发展至今从理论到技术已经取得很大的进展。首先是台阶流模型的提出,不仅实现低温生长,更重要的实现稳定晶型的控制;其次引入TCS生长体系,不光是生产速率得到提升,同时晶体质量得到显著的提高,该体系是厚膜外延生长的基础;再次就是高质量、低成本的需要,未来4H-SiC外延生长将向多片式、大尺寸、高均匀性、低缺陷方向发展;最后,为了使器件的性能能够进一步提升,通过外延来实现部分器件结构,主要是开发SiC外延沟槽填充技术,进一步降低器件的导通电阻;在高压应用方面,厚膜生长技术比较滞后,未来需要解决的技术有:厚膜少子寿命,缺陷控制,材料的均匀性。
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