HCl腐蚀抛光技术研究

来源 :第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ooo2231
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  分析了HCl的腐蚀抛光原理以及HCI在外延片制作过程中的作用。从HCl的浓度、腐蚀温度、反应室压力以及衬底条件,对HCI的腐蚀特性进行了重点研究;并采用不同的工艺条件,对HCl的腐蚀抛光速率进行了对比实验。还对HCl的BC技术进行了探索,分析了BC技术的原理以及作用,为高精度外延片的制作提供了一种有效的方法。
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