【摘 要】
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根据晶体管的工作机理,设计一种堆叠晶体管的电路拓扑结构,通过提高电路的击穿电压和增加电子穿越沟道的长度,在提高电路输出功率的同时,也回收了晶体管的增益,实现了输出增
【机 构】
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中国工程物理研究院电子工程研究所 四川绵阳621900
【出 处】
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四川省电子学会曙光分会第十七届学术年会暨中物院第十届电子技术青年学术交流会
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根据晶体管的工作机理,设计一种堆叠晶体管的电路拓扑结构,通过提高电路的击穿电压和增加电子穿越沟道的长度,在提高电路输出功率的同时,也回收了晶体管的增益,实现了输出增益的提高.采用了2个Cree公司的CGH400系列的GaN HEMT建立堆叠电路模型、级联电路模型和功率合成电路模型,分别设计了2.1GHz的功率放大器,对比仿真结果表明堆叠电路同时提高了输出功率和增益.基于堆叠电路模型设计了功放电路版图,对版图进行了场路仿真.在2-2.2GHz带宽内,小信号增益大于25dB,输出功率大于45.5dBm.
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