化学水浴法制备Cu(In,Ga)Se2薄膜电池ZnS缓冲层的研究

来源 :第十届中国太阳能光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yyw953
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在钠钙玻璃衬底上采用化学水浴法(CBD)沉积了硫化锌(ZnS)薄膜.研究了氨水(NH4OH)浓度、振荡速度等工艺条件对ZnS薄膜质量的影响。SEM和XRD测试结果表明:ZnS薄膜的表面形貌与NH4OH浓度有很大的关系。在适中的NH4OH浓度下,才能沉积出均匀、透明、含有较少杂质的ZnS薄膜。同时,随着振荡速度的加快,ZnS薄膜的厚度增加,薄膜表面白色沉淀颗粒的数量也明显增多。通过工艺参数的优化,制备了能够作为铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池缓冲层的ZnS薄膜。
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