Thermal stability of nonvolatile organic memory transistor based on Poly (methyl methacrylate) as ch

来源 :第八届全国暨华人有机分子和聚合物发光与光电特性学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yiyiweiwei
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We have studied the electrical properties of nonvolatile organic field-effect transistor (OFET) memory devices with Poly (methyl methacrylate) (PMMA) as charge trapping layer at-78.5℃, 20℃ and 80℃, respectively.The OFET memory devices show excellent nonvolatile memory characteristics with large memory window of over 80V and high ON/OFF current ratio of 104~105 over 104s.However, compared to that of the devices at 20℃, the memory performance of the devices at-78.5℃ and 80℃ reduces.
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