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石墨烯带隙为零、开关比低，而打开带隙又会导致其迁移率急剧下降.因此，如何制造既具有大开关比又表现高迁移率的石墨烯器件成为当今最热门课题之一.这里，我们理论研究了石墨烯相关体系的本征迁移率.我们证明有效质量与带隙间的线性依赖关系导致了石墨烯中迁移率随带隙的反向变化.而影响迁移率大小的另一个物理量——形变势常数E1则依赖于带隙和费米能级随应变的变化率.要实现石墨烯相关体系的高迁移率必然要有效调控E1.[1]基于此，我们进一步发现某些氮化硼杂化石墨烯有很低的E1和可与石墨烯相比的迁移率，且带隙非零.同时我们还可用应变调节该体系的输运极性.我们的结果显示这种杂化材料是一种非常有潜力的晶体管材料.[2]