【摘 要】
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通过分子动力学方法模拟研究了硅晶体生长过程中孪晶的形成,采用Tersoff势计算硅原子间相互作用.主要考察了硅晶体沿(110)、(100)、(111)与(112)面生长时孪晶的形成规律.结果
【机 构】
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南昌大学材料科学与工程学院330031
【出 处】
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第八届国际分子模拟与信息技术应用学术会议
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通过分子动力学方法模拟研究了硅晶体生长过程中孪晶的形成,采用Tersoff势计算硅原子间相互作用.主要考察了硅晶体沿(110)、(100)、(111)与(112)面生长时孪晶的形成规律.结果发现:晶体沿(111)面生长时,(111)生长面保持相对光滑平整,形成的孪晶界平行于固液界面;晶体沿(110)、(100)和(112)面生长时,初始光滑的生长面会被{111}小面包围,演变成小面夹角为70.5°或109.5°的“之”字型界面,形成的孪晶界则平行于这些{111}小面.孪晶的形成是一个{111}面上HCP结构逐渐长大至占据整个区域的过程.不同生长面孪晶形成的难易程度由小到大的顺序为:(100)面＜(110)面＜(112)面＜(111)面.
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