【摘 要】
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我们成功合成并研究了M2AX相化合物Cr2GaN,其空间群为P63/mmc.我们通过用Ge取代Ga对系统经行了掺杂研究,我们发现,Ge的溶解极限约为0.25.随着Ge的掺杂浓度提高,a轴长度逐渐增加,而c轴长度逐渐减小.先前的文献报道,通过电阻和磁化测量证明了Cr2GaN在170K左右有一个相变,这个相变可能来自于自旋密度波.该样品的电阻和磁行为,和铁基超导体的母体有很多相似性质.我们发现,通过G
【机 构】
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南京大学物理学院,南京,210093
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我们成功合成并研究了M2AX相化合物Cr2GaN,其空间群为P63/mmc.我们通过用Ge取代Ga对系统经行了掺杂研究,我们发现,Ge的溶解极限约为0.25.随着Ge的掺杂浓度提高,a轴长度逐渐增加,而c轴长度逐渐减小.先前的文献报道,通过电阻和磁化测量证明了Cr2GaN在170K左右有一个相变,这个相变可能来自于自旋密度波.该样品的电阻和磁行为,和铁基超导体的母体有很多相似性质.我们发现,通过Ge的掺杂,这个可能的SDW转变得到了压制,但并没有完全压制.同时我们对其经行了1.1GPa下的高压测量,发现其转变温度并没有发生明显变化.通过Ge掺杂和高压测量都没有发现超导转变.
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Cruciform 2,6-bis(p-dibutylaminostyryl)-9,10-bis(4-pyridylvinyl-2)anthracene (DAB) is a donoreacceptor-containing two-dimensionally cross-conjugated luminogen exhibiting the aggregation-enhanced emiss
对于电子型铜氧化物，反铁磁序与超导是否共存？以及与反铁磁序相关的量子临界点的位置，目前存在很大的争议.输运测量测量显示反铁磁的边界会延伸到过掺杂区域，但是μ SR显示反铁磁序在超导开始时就已经消失.针对上述争议，我们对不同氧含量的La2-xCexCuO4±δ(x=0.1)超导薄膜进行了强磁场(58T)输运测量，我们发现了两个特征温度：T1(60±5K)和T2(25±5K).其中二维反铁磁序特征温度
KFe2As2 is a heavily hole-doped iron pnictide superconductor, which has a low Tc (about 3.8 K) but with strong spin fluctuations.Under pressure, its Tc first decreases with pressure and increases agai
铁基超导家族中的两个亚族，分别以结构类似的FeSe4和FeAs4四面体层作为各自的超导基元.然而典型的FeSe基超导体AyFe2-xSe2(A=碱金属离子)母体相和正常态的实验表现，却与FeAs基体系迥异，导致质疑这两大铁基体系的高温超导电性是否有共同物理起源.澄清这一问题对探讨各类高温超导体物理机制意义重大.但实验上困难在于，在AyFe2-xSe2中反铁磁绝缘245相往往与超导相共生，以致妨碍对
The mechanism of high temperature superconductivity in the iron-based superconductors remains an outstanding issue in condensed matter physics.The electronic structure plays an essential role in dicta
铁硒材料拥有一个独特但并没被很好理解的物理性质：实验上，铁硒在90K左右发生了结构相变，但是并没出现长程磁有序。这一性质也使铁硒成为研究铁基超导体中向列相的模型系统。在铁基超导体中，通常通过化学掺杂和施加压力抑制母体材料中的向列相和反铁磁序来诱导超导发生。所以，弄清铁硒材料中长程磁序的缺失以及向列相的起源对进一步理解超导机制就尤为重要。我们继之前针对铁硒薄膜[1-3]和铁硒晶体[4]的计算工作之后
利用角分辨光电子能谱,我们在Ba0.6K0.4Fe2As2铁基超导样品中观测到了位于超导能隙内的杂质态,这个态在超导临界温度以上消失,并且在动量空间中谱权重集中在费米波矢附近.我们通过理论计算和模拟证明,这个能隙内的杂质态来源于具有相反超导相位的能带之间的弱散射.弱散射可能是来源于FeAs面外的(Ba,K)面的非磁无序.弱散射动量转移很小,一般存在于相邻费米面之间,这意味着超导相位在相邻费米面之间
122铁基超导体(Ca, RE)Fe2As2中高Tc(约40 K)超导电性的起源问题一直众说纷纭。我们通过过渡金属元素TM(TM=Co,Ni)替代Fe的方式向系统引入电子,研究了电子掺杂对该体系较高的超导转变Tc的影响。在低La含量时,无TM掺杂的样品不表现高Tc超导电性。当TM含量增加一定含量时,高Tc超导电性突然出现,这说明了电子掺杂可以引发该体系高Tc超导电性的出现。在随后的一定TM掺杂范围
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The single crystals of NaFe 1-xCuxAs were synthetized with self-flux method, and measured the transport property, ICP and heat capacity.ICP measurement results show that the doping amount x is consist