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本文工作采用低温磁控溅射方法在NSG CF51 导电玻璃上制备CdTe 多晶薄膜电池,结构为:glass/SnO2∶F/CdS∶O/CdTe/metal contact.CdS∶O 和CdTe 多晶薄膜的厚度分别为100 nm 和2 μm.与CdS 相比,CdS∶O 降低了窗口层的光学吸收,提高了窗口层的结晶质量,降低了CdS 和CdTe 的互扩散,有利于CdTe 电池转化效率的提高.