【摘 要】
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本文首次用共沉淀法合成Sr3MgSi2O8∶Eu2+,Dy3+蓝色长余辉发光材料,用和各种固体无机粉末一定浓度的硝酸盐溶液和正硅酸乙酯(TEOS)混合溶液作为母液,以配置好的一定浓度的柠檬酸三铵溶液作为沉淀剂。沉淀物所得前驱体在不同温度下煅烧制得Sr3MgSi2O8∶Eu2+,Dy3+磷光体。磷光体的晶体结构,晶体形貌和光学性能分别通过X射线衍射仪(XRD),扫描电镜(SEM)和荧光分光光度计来测
【机 构】
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大连理工大学精细化工国家重点实验室,辽宁,大连,116012
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本文首次用共沉淀法合成Sr3MgSi2O8∶Eu2+,Dy3+蓝色长余辉发光材料,用和各种固体无机粉末一定浓度的硝酸盐溶液和正硅酸乙酯(TEOS)混合溶液作为母液,以配置好的一定浓度的柠檬酸三铵溶液作为沉淀剂。沉淀物所得前驱体在不同温度下煅烧制得Sr3MgSi2O8∶Eu2+,Dy3+磷光体。磷光体的晶体结构,晶体形貌和光学性能分别通过X射线衍射仪(XRD),扫描电镜(SEM)和荧光分光光度计来测定。通过与高温固相法合成相同磷光体XRD可推断出共沉淀法合成的磷光体形成晶型更加完全,杂质相少,并且对比不同灼烧温度下的XRD,可以推断出各种杂质峰的消失温度降低,也就是说合成温度明显降低；通过SEM可以直观地看出球形颗粒直径小且分布比较均匀；由激发和发射光谱得知具有更强的发光起始强度,然而余辉性能却有一定的降低.
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目的：通过纳米碳管场致发射特性来研究CNT-FED型驱动电路的设计。方法：对CVD法制备的纳米碳管进行场发射测试,同时根据CNT-FED结构和特点设计了以51单片机为逻辑控制核心,以移位寄存器、锁存器、计数器和后级放大电路为辅助驱动电路,运用汇编语言对51单片机进行控制口的控制,实现汉字点阵的动态显示.结果：设计出了完整的驱动CNT-FED结构的驱动电路。结论：为CNT-FED型平板显示器驱动电路
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