【摘 要】
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采用Si-SiO-PI结构制备了聚酰亚胺电容式湿度传感器,对该种传感器的特性进行了测试,并与传统夹层式结构的样品进行了对比.研究表明,Si-SiO-PI结构的湿度传感器在同等测试条件下,其电容值要比传统结构样品高25﹪,并且特别利于克服薄膜孔洞和厚度不均匀造成的短路现象,有利于批量生产.
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所(乌鲁木齐) 中国科学院新疆理化技术研究所(乌鲁木齐);新疆中科传感有
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采用Si-SiO<,2>-PI结构制备了聚酰亚胺电容式湿度传感器,对该种传感器的特性进行了测试,并与传统夹层式结构的样品进行了对比.研究表明,Si-SiO<,2>-PI结构的湿度传感器在同等测试条件下,其电容值要比传统结构样品高25﹪,并且特别利于克服薄膜孔洞和厚度不均匀造成的短路现象,有利于批量生产.
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