论文部分内容阅读
对掺杂Nb〈,2〉O〈,5〉和Li〈,2〉CO〈,3〉为助溶剂的SrTiO〈,3〉材料用真空烧结方法来实现半导体的试验进行了初步尝试。这种新的烧结方法指出,在真空烧结条件(真空度5×10〈’3〉Pa)下能实现半导化,陶瓷半导体电阻率为10Ω·cm左右,同时有利于SrTiO〈,3〉基陶瓷晶粒长大,降低烧结温度,增加材料致密度和提高显介电常数。这些都是有益于提高晶界层陶瓷电容器性能的关键因素。