【摘 要】
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采用磁控溅射,紫外线光刻和离子束刻蚀制备了LaCaMnO/EuCuO/LaCaMnO磁性隧道结.通过对获得的磁性隧道结的I-V特性测量,本文发现非线性的I-V特性,显示结样品的隧穿特性.有趣的是,本文发现在电极材料LaCaMnO的金属-绝缘体转变温度(T)以下,I-V曲线出现一个跳变.随着温度降低,开始出现跳动变的临界电流增大,但是跳变都发生在同样的电压下~209mV.当电流增大或减小在跳变点附近
【机 构】
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中国科学院物理研究所微加工实验室(北京);Department of Physics the University of Hong Kong Pokfulam Road Hong Kong(CHINA
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采用磁控溅射,紫外线光刻和离子束刻蚀制备了La<,2/3>Ca<,1/3>MnO<,3>/Eu<,2>CuO<,4>/La<,2/3>Ca<,1/3>MnO<,3>磁性隧道结.通过对获得的磁性隧道结的I-V特性测量,本文发现非线性的I-V特性,显示结样品的隧穿特性.有趣的是,本文发现在电极材料La<,2/3>Ca<,1/3>MnO<,3>的金属-绝缘体转变温度(T<,p>)以下,I-V曲线出现一个跳变.随着温度降低,开始出现跳动变的临界电流增大,但是跳变都发生在同样的电压下~209mV.当电流增大或减小在跳变点附近出现回滞.这一跳变只发生在铁磁金属态,表明这是一个磁性相关联的效应,可能对应一种新的磁性开关过程.虽然,目前对这一现象背后的物理机理还不清楚,但是,这一现象有可能在未来自旋电子学器件方面具有潜在的应用价值.
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大规模合成磁性纳米线阵列材料在磁性器件应用研究中引起了极大兴趣.本文利用电化学沉积方法在高度有序纳米孔氧化铝模板中大规模制备了NiFe纳米线阵列.该方法得到的NiFe纳米线产量高(大约10/cm),而且这些纳米线阵列具有(11)择优生长取向和很高的纵横比.与其体材料相比,这些NiFe纳米线阵列具有增强的矫顽力和较大的剩磁化等性能,在微型磁性元件领域将具有广泛应用前景.
采用直流磁控溅射法使用合金靶制备了(TbDy)Fe薄膜.在400℃以下处理时薄膜均为非晶态.在500℃以上处理的薄膜中出现了α-Fe相.镀态薄膜呈现出垂直磁各向异性,随着基板预变形的增加,薄膜的垂直磁各向异性逐渐消失,达到一定的预变形后,薄膜没有明显的易磁化方向,这种趋势经200℃处理仍保持.经400℃处理后,所有薄膜呈现出平面磁各向异性.
用射频磁控溅射技术制备了[SiO(t)/FeNi(t)]多层膜系列(其中t和t分别代表SiO层和FeNi层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO(3.3nm)/FeNi(t)]系统,当FeNi层厚度小于2.4nm时,FeNi层从连续变为不连续;在t=2.1nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64﹪,当温度高于180K时,1nR正比于T,表明导电机制为热激发的隧穿导电;对[SiO(1.
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