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本文采用化学气相沉淀(CVD)法在零偏4H-SiC衬底上外延了3C-SiC单晶薄膜,通过不同生长阶段的分析,得到了外延中缺陷的产生机理和来源.通过X射线衍射(XRD)跟拉曼光谱(Raman)分析,外延层为单晶3C-SiC薄膜,厚度为8μm.Nomarski微分干涉相差(DIC)光学显微镜观测到外延薄膜呈现大块的结晶区域.通过对不同生长阶段缺陷的形貌和产生机理进行分析,得到外延中缺陷的主要产生原因为:1、衬底本身微管或螺旋位错缺陷在外延中的延伸和演化; 2、刻蚀工艺致使衬底表面起伏引起缺陷3、成核速率过高引起双边位置(DPB)缺陷.