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采用有限元分析法对自行研制的垂直式HVPE系统中衬底距离出气口的高度进行了三维数值模拟研究。分析比较了在不同的衬底距离出气口高度的情况下，衬底上方反应物的浓度分布以及流场的变化。结果表明，随着衬底距出气口高度的增加，流场的稳定性变差且出现了涡旋，衬底上方反应物的摩尔浓度下降，并解释了GaN表面沉积率的变化与反应物浓度分布及流场变化的内在联系。为反应室中衬底距离出气口高度的优化提供了依据。