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本报告首先简要介绍高能射线探测技术的应用背景和闪烁体探测材料的发展.进而结合本人的研究工作,重点探讨半导体辐射探测器的研究现状和进展,包括:(1)多种半导体探测材料的性能对比;(2)碲锌镉探测器的工作原理,性能特点及存在的问题;(3)碲锌镉探测材料的合成和晶体生长技术;(4)碲锌镉晶体的结构缺陷及其对探测器性能的影响;(5)半导体探测器及其应用技术.