【摘 要】
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实验采用石英玻璃衬底,首先使用离子束溅射方法在玻璃上溅射沉积140nmAlN缓冲层,随后使用MOCVD方法继续在AlN缓冲层上高温外延GaN层,利用XRD,SEM,AFM对样品进行了表征.检测结
【机 构】
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中国科学院半导体所照明中心,北京,10083
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实验采用石英玻璃衬底,首先使用离子束溅射方法在玻璃上溅射沉积140nmAlN缓冲层,随后使用MOCVD方法继续在AlN缓冲层上高温外延GaN层,利用XRD,SEM,AFM对样品进行了表征.检测结果显示AlN薄膜优先取向良好,SEM、AFM检测结果显示表面平整,随后沉积的GaN外延层检测结果显示薄膜在热应力作用下开裂,在开裂GaN薄膜上进行二次外延发现薄膜开裂情况得到改善.但与理想的均匀平整不开裂的外延层差距仍较远,实现这一目标的关键是缓解衬底与外延层间因热失配产生的拉应力.
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